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    DLC類(lèi)金剛石涂層是一種亞穩(wěn)態(tài)的非晶碳莫，兼具金剛石和石墨的優(yōu)質(zhì)特性，具有較好的硬度、杰出的熱傳導(dǎo)性、低摩擦系數(shù)、優(yōu)異的電絕緣性能、高化學(xué)穩(wěn)定性等應(yīng)用長(zhǎng)處，在機(jī)械制造、生物醫(yī)學(xué)、電子設(shè)備等范疇有著廣泛應(yīng)用。DLC涂層首要選用物理氣相堆積法、化學(xué)氣相堆積法來(lái)制備，經(jīng)過(guò)專門(mén)的堆積設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)制造。

一、加熱與水冷體系

加熱體系與水冷體系均勻分布于堆積室四周，加熱溫度、速度及水量可控可調(diào)，并安裝有相應(yīng)的報(bào)警裝置；旋轉(zhuǎn)體系坐落堆積室底部，經(jīng)過(guò)絕緣陶瓷進(jìn)行絕緣，旋轉(zhuǎn)速度可控可調(diào)。

二、真空體系

真空體系由機(jī)械泵、羅茨泵、擴(kuò)散泵及相應(yīng)的操控閥門(mén)、測(cè)量元件組成，能夠依據(jù)工藝需求自由地進(jìn)行高真空和低真空的切換。

三、供氣體系

供氣體系置于堆積室頂部，氣體品種包含H2、N2、Ar、CHa、C2H2、含Si氣體，同時(shí)堆積室頂部預(yù)留兩路接口，便利以后其他品種氣體的添加。

含Si的過(guò)渡層是公認(rèn)的PCVD辦法中有利于增強(qiáng)DLC涂層與基體結(jié)合力的一種涂層，為了取得Si，通常選用SiH4作為質(zhì)料氣，但是SiH4危險(xiǎn)性較高，所以在此選用了危險(xiǎn)性較低的含Si氣體作為Si源。

四、堆積靶材體系

設(shè)備具有PVD和PCVD兩個(gè)堆積單元，PCVD單元首要意圖是用于類(lèi)金剛石(DLC)的堆積，選用的電源為脈沖調(diào)制電源，各項(xiàng)參數(shù)接連可調(diào)，經(jīng)過(guò)對(duì)參數(shù)的調(diào)整，能夠堆積不同硬度和厚度的DLC涂層，同時(shí)，經(jīng)過(guò)對(duì)工件裝卡方式的調(diào)整，還能夠在復(fù)雜工件上進(jìn)行涂層；PVD單元的意圖首要有：①針對(duì)不同的基體經(jīng)過(guò)更換不同的靶材能夠開(kāi)發(fā)不同的粘結(jié)層或含有不同品種元素的金屬摻雜DLC涂層；②經(jīng)過(guò)更換靶材，能夠形成多種“功用層+DLC”的用于不同范疇的復(fù)合涂層。

五、電氣操控體系

電氣操控體系選用PLC全主動(dòng)操控，包含上位機(jī)、PLC可編程操控器、適配轉(zhuǎn)換器、操控電源、真空操控電源及測(cè)量體系、送氣操控電源、溫控體系、冷卻水檢測(cè)操控電源等。開(kāi)爐前，在工藝編輯界面編輯涂層工藝并存檔，在開(kāi)爐時(shí)調(diào)用所需工藝，設(shè)備將主動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)，并實(shí)時(shí)進(jìn)行檢測(cè)監(jiān)控。若有問(wèn)題設(shè)備將主動(dòng)報(bào)警，依據(jù)警報(bào)等級(jí)設(shè)備選擇“等候”狀況或直接停機(jī)，待警報(bào)免除后繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。每爐的運(yùn)轉(zhuǎn)記錄及報(bào)警記錄都主動(dòng)存儲(chǔ)于電腦中便利查閱。依據(jù)需求，設(shè)備可改為全手動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)，涂層過(guò)程中在主操作界面調(diào)整各項(xiàng)涂層參數(shù)進(jìn)行操控。