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 濺射鍍膜技能是用離子炮擊靶材外表，濺射發(fā)生的原子堆積在基體外表構(gòu)成PVD涂層。通常是運(yùn)用氣體放電發(fā)生氣體電離，其正離子在電場效果下高速炮擊陰極靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體外表堆積成PVD涂層。磁控濺射鍍膜技能是在濺射鍍膜基礎(chǔ)上開展而來，與濺射鍍膜比較，堆積速率更快，涂層致密且與基體附著性好，適合大批量PVD涂層出產(chǎn)。

　一、平衡磁控濺射鍍膜技能

這是傳統(tǒng)的磁控濺射鍍膜技能，將永磁體或電磁線圈放到在靶材背后，在靶材外表會(huì)構(gòu)成與電場方向垂直的磁場。在高壓效果下氬氣電離成等離子體，Ar+離子經(jīng)電場加快炮擊陰極靶材，靶材二次電子被濺射出，且電子在彼此垂直的電場及磁場效果下，被束縛在陰極靶材外表附近，增加了電子與氣體碰撞的幾率，即增加了氬氣電離率，使氬氣在低氣體下也可維持放電，因而磁控濺射既降低了濺射氣體壓力，同時(shí)也提高了濺射功率及堆積速率。

但傳統(tǒng)磁控濺射有一些缺點(diǎn)，比方：低氣壓放電發(fā)生的電子和戳射出的靶材二次電子都被束縛在靶面附近大約60mm的區(qū)域內(nèi)，這樣工件只能被安放在靶外表50~100mm的范圍內(nèi)。這樣小的鍍膜區(qū)間約束了待鍍工件的尺度，較大的工件或裝爐量不適合傳統(tǒng)辦法。

二、非平衡磁控濺射鍍膜技能

這種磁控濺射鍍膜辦法部分解決了平衡磁控濺射的缺乏，是將靶面的等離子體引到靶前200~300mm的范圍內(nèi)，使陽極基片沉浸在等離子體中，減少了粒子移動(dòng)的間隔，離子束起到輔助堆積的效果。然而獨(dú)自的非平衡磁控靶在基片上很難堆積出均勻的薄膜層，因而開宣布多靶非平衡磁控濺射鍍膜技能，彌補(bǔ)了單靶非平衡磁控濺射的缺乏。

三、反響磁控濺射鍍膜技能

隨著外表工程技能的開展，越來越多地用到各種化合物薄膜資料?？梢灾苯舆\(yùn)用化合物資料制作的靶材經(jīng)過濺射來制備化合物薄膜，也可在濺射金屬或合金靶材時(shí)，通人必定的反響氣體，經(jīng)過發(fā)生化學(xué)反響制備化合物薄膜，后者被稱為反響磁控濺射。一般來說純金屬作為靶材和氣體反響較容易得到高質(zhì)量的化合物薄膜，因而大多數(shù)化合物薄膜是用純金屬為靶材的反響濺磁控射來制備的。

四、中頻磁控濺射鍍膜技能

這種鍍膜辦法是將磁控濺射電源由傳統(tǒng)的直流改為中頻交流電源。在濺射過程中，當(dāng)體系所加電壓處在交流電負(fù)半周期時(shí)，靶材被正離子炮擊而濺射，而處于正半周期時(shí)，靶材外表被等離子體中的電子炮擊而濺射，同時(shí)靶材外表累積的正電荷被中和，打弧現(xiàn)象得到抑制。中頻磁控濺射電源的頻率通常在10-80kHz之間，頻率高，正離子被加快的時(shí)間就短，炮擊靶材時(shí)的能量就低，濺射堆積速率隨之下降。中頻磁控濺射體系一般有兩個(gè)靶，這兩個(gè)靶周期性輪流作為陰極和陽極，一方面減小了基體濺傷；另一方面也弱化了打弧現(xiàn)象。

上述即是磁控濺射鍍膜代表性辦法有哪些的大致介紹，可以看出，磁控濺射鍍膜技能經(jīng)過長時(shí)間開展，衍生出許多分支，構(gòu)成不同的特征，也因而得到更廣泛的使用，制備的PVD涂層性能更好。